关于记忆的一点知识

关于记忆的一点知识
当然，在理解了一些基本的内存条件之后，让我们来看看一些常见的与内存相关的术语：
时钟周期
时钟周期是一个时间，一般为10纳秒（ns）是一个时钟周期，时钟周期表明，SDRAM可以运行的最高频率。一个小的时钟周期意味着更高的工作频率。为PC100大小的内存，其运行的时钟周期应小于10纳秒纳秒和工作。频率之间的关系是：1000 /时钟周期=工作频率。例如，对PC100内存芯片的工作频率为10纳秒的表达应该是1000 / 100
= 100MHz，这表明该内存芯片的额定工作频率为100MHz的。目前市场上的一些记忆的优秀质量通常可以在高频率低于额定频率的工作带来了极大的方便，一些喜欢超频的朋友。例如，胜创的PC133内存，采用8纳秒的芯片，和频域增强房间很大相对于100MHz的频率。许多用户可以使他们在133MHz甚至更高的工作频率，内存芯片和PCB板的质量在很大程度上可以对超频使用。然而，这不足以判断速度，内存的时钟周期。内存CAS的存取时间和延迟时间也在一定程度上决定了内存的性能。
访问时间
现在让我们来看一下内存访问时间：首先，我们应该澄清大多数SDRAM芯片的存取时间大部分是5, 6, 7、8或10纳秒，这与上面提到的时钟周期中的纳秒不一样。它们分别代表不同的意思。
PC100内存芯片，其颗粒一般标记- 7j或-7k.some人误把它当作内存时钟周期。事实上，这7j或7k代表7纳秒内存访问时间并不是一个时钟周期为7纳秒。当内存访问时间为7纳秒，其时钟周期仍10纳秒，工作频率为100MHz，因此，在购买的时候，请不要混淆的访问和芯片上的时钟周期的时间。HY的PC100规范- 7j或7k是合格产品。HY PC133内存的规格，75和TH的标准。
CAS的延迟时间
有CAS延迟时间和内存访问的时间有着密切的联系。首先，说明内存CAS延迟时间是什么。所谓的CAS延迟时间，是指内存纵向地址pulse.cas延迟时间的响应时间是衡量在一定频率的不同规格的内存的重要标志一，英特尔的PC100内存技术白皮书，指出符合PC100标准的内存芯片应该CAS
延迟的情况（以下简称CL）= 2稳定工作在100MHz的频率。意义的CL = 2，此时读取内存中数据的延迟时间是两个时钟周期时，CL =内存读取数据3.the延迟时间应该是三个时钟周期。因此，2和3之间的差别不仅限于1，而是1个时钟周期。在同一频率下工作在同一个存储器中，将CL设置为2将获得比3更好的性能（当然，当然是您的内存）。

必须支持CL = 2模式。）为了使主板能够正确地设置CAS延迟时间，存储器制造商已经记录了不同制造商在不同工作频率下推荐的CAS延迟，它们被记录在存储器PCB板上的一块EEPROM上。这就是我们所说的SPD芯片，在系统启动时，主板BIOS自动检测信息在SPD和最终决定是否与CL = 2或CL = 3.in为准确评价内存的综合性能，我们应该结合上面提到的三个概念。对于PC133内存，当Cl = 3，TCK（系统
时钟周期是内存时钟周期，由FSB决定。一般来说，TCK = 1 /娱乐可以被认为是俄罗斯联邦安全局的工作。例如，系统工作在100MHz的外频，TCK = 1 / 100mhz = 10ns）的数量小于10 ns，TAC（访问
时间从时钟）小于6纳秒。这与PC100标准线。当CL = 2，TCK的值可以是10纳秒只要标准。这是为什么呢原因是相同的记忆，当CL设置不同时，记忆的TCK值不唯一，同样，TAC值不可能是相同的。因此，对于记忆的总延迟时间，我们可以用这样一个公式说：总延迟时间=时钟周期×
CL值的访问时间。我们用HY的内存为例。HY PC100内存有10 ns的时钟周期。在100MHz的工作时，内存的CL值是2，和它的访问时间为7纳秒。因此，总延迟时间= 27纳秒10x2 7。记忆

对于u3002the总延迟时间是反应记忆率的最直接的指标。
包装形式
封装形式是存储芯片的引脚形式。目前，主要包装形式主要有以下几种：
日前，英国底部引线塑料封装技术，是新一代的领袖。芯片面积和填充的面积比大于1:1.1，这符合CSP（芯片）。
尺寸包装）填写包装规格，不仅高度和面积非常小，而且电气特性进一步得到改善，制造成本也不高。它广泛用于制造新一代的内存，如sdramrdramddr。
TinyBGA：被称为微型球栅阵列（小型球栅阵列封装）。其芯片面积封装面积不小于1∶1.14。它是胜创的专利，属于BGA封装技术的一个分支。
TSOP II：，英文名字叫薄小外形封装（薄型小尺寸封装），是广泛使用的SDRAM存储器的制造，但随着时间和技术的发展，和越来越受欢迎。
在高频高速下，新一代存储器越来越不适用。
DRAM封装技术已经从最早的浸养，SOJ对TSOP形式。从现在主流的SDRAM模块，除了胜创科技（胜创）开创了TinyBGA技术和BLP技术首创樵风模型，大多仍采用TSOP封装技术。TinyBGA包的内存大小是1 / 3 TSOP封装的内存，也就是说，这个TinyBGA封装可以通过同一空间下的存储容量提高三倍。此外，TinyBGA封装的内存不仅体积小，而且更薄，金属基板的最有效的冷却路径的散热器是0.36mm，大大提高了术后长时间的存储芯片的可靠性，而线的小鬼阻抗大大降低，芯片的速度将大大提高。
随着DDR和RDRAM的介绍，内存频率上升到一个更高的水平。TSOP封装技术逐渐无法满足DRAM设计要求。从Rambus公司的角度来看，这是在英特尔，采用BGA封装的新一代。相信在未来，其他高速DRAM封装如DDR也会采用相同或不同的BGA封装的SDRAM架构的低成本优势（PC133，DDR）和广泛应用将继续占据一定的市场份额。认为未来DRAM市场将多种结构共存。
数据带宽
所谓数据带宽是内存的数据传输速度，它是衡量内存性能的一个重要标准。通常，当PC133的SDRAM工作在额定频率（100MHz），其峰值传输速度可以达到800mb /秒，PC133内存运行在133MHz的已达到1.06gb /秒峰值速度，这是提高200mb /秒以上PC100内存。在实际使用中的性能的提高是非常明显的。对于DDR内存，因为数据可以在上升和下降沿发送相同的时钟，当其工作在133MHz，其实际传输速度可以达到2.1。
GB / s的带宽水平是普通SDRAM内存工作在266mhz。此外，该双通道PC800 Rambus DRAM的数据传输带宽也3.2gb /。