教你记忆类型的区别

DDR内存通常采用TSOP芯片封装，可在200MHz的工作。当频率较高时，其长销会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这就是为什么DDR的核心频率很难突破275mhz，DDR2内存用于FBGA封装TSOP封装形式。不同于广泛用形式，FBGA封装提供了更好的电气性能和散热性，为DDR2内存的稳定运行提供了良好的保障和发展未来的频率。
DDR2内存采用1.8V电压，它比DDR标准的2.5V低得多，这提供了明显的更小的功耗和更小的发热量。这一变化意义重大。
采用DDR2的新技术：
除了上面提到的差异，DDR2已经推出了三个新的技术，这是强迫症，ODT，和后CAS。
强迫症（关闭芯片的驱动程序）：所谓离线驱动调整，DDR II可以通过ocd.ddr II提高信号的完整性等于电压通过调整上拉或下拉电阻值（下拉）。使用OCD通过减少的dq-dqs倾斜提高信号的完整性；通过控制电压提高信号质量。
ODT：ODT是内芯电阻的结束。我们知道使用DDR SDRAM的主板为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模块的电路是不一样的，端阻力决定了信号的数据线比和反射率的大小，端阻力小的数据线的信号反射、低信噪比低；数据线的一端是高电阻、高信噪比，但也反映了信号的增加。因此，主板上的终端电阻不匹配的内存模块很好，也会影响信号的质量在一定程度上的。DR2可以根据自身的特点建立相应的端阻力，所以最佳信号波形可以保证。DDR2的使用不仅可以降低主板的成本，而且还获得最佳的信号质量，这是无与伦比的DDR。
后中科院：它的目的是提高DDR II内存使用效率。后CAS操作中，CAS信号（读/写/命令）可以插入一个时钟周期的RAS和CAS指令信号后，可以额外的延迟后仍然有效（附加延迟）。原tRCD（RAS到CAS延迟）是由Al取代（附加延迟），和AL可以设置在0, 1, 2，3, 4。由于CAS信号放在Ras信号时钟周期，ACT和CAS信号不会有碰撞碰撞。
总的来说，DDR2采用了许多新技术，提高了DDR的许多缺点。虽然成本高，延迟慢，但相信随着技术的不断改进和改进，这些问题最终会得到解决。
DDR3和DDR2之间的一些主要差异：
1。突发长度（突发长度，BL）
由于DDR3的预取是8bit，所以突发传输周期（突发长度）固定为8，与DDR2和早期的DDR系统架构，BL = 4也用了，所以DDR3加4位爆裂斩（突发突变）的模式，从一个读操作与BL = 4突发数据传输写BL = 4操作合成一个BL = 8，然后通过A12地址线来控制突发模式，应该指出的是，任何突发中断操作将在DDR3内存的禁止，它将不被支持，而不是一个更灵活的突发传输控制，这样为4位顺序突发。
2。可寻址时间序列（定时）
随着DDR DDR2过渡后在延迟周期数的增加，对DDR3的CL周期将高于DDR2，DDR2的CL范围一般为2 ~ 5之间，而DDR3 5 ~ 11之间，和额外的延迟（AL）的设计也有所改变，DDR2 Al的范围是0 ~ 4，而铝在DDR3 0，CL-1和CL-2、三个选项，分别。此外，DDR3还增加了一个时序参数mdash；mdash；写入延迟（CWD），这将取决于具体的工作频率。
3.ddr3新复位功能
重置是DDR3的一个重要特征，和销是专门准备的。DRAM产业长期以来一直要求增加这一功能，现在DDR3终于实现。此引脚将DDR3简单的初始化过程。复位命令时是有效的，的DDR3内存将停止所有操作开关最活跃的状态，以节省电力。
在重置，DDR3将关闭大部分内存的功能，所有的数据接收和发射器将被关闭，该装置将重置所有的内部程序，DLL（延迟锁相环）电路和时钟会停止工作，而忽略了数据总线上的任何运动，这将使DDR3达到最节能的目的。
4.ddr3新ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚低公差参考该引脚电阻与一个240欧姆。此引脚自动检查数据输出驱动器和ODT的命令集是最后的抵抗和模具校正引擎（ODCE）。当系统发出指令，将用相应的时钟周期（在退出，在512个时钟周期的功率和初始化后自刷新操作后256个时钟周期，在其他情况下用64个时钟周期）的导通电阻和ODT电阻重新校准。
5。参考电压分为两种。
在DDR3系统，VREF，一个非常重要的参考电压信号存储系统的操作，将分为两个信号，即vrefca为数据总线命令和地址的服务，vrefdq，这将有效地提高系统数据总线的信号的噪声电平。
6。点对点连接（点对点，P2P）
这是提高系统性能的一个重要的变化，也是DDR3和DDR2之间的关键差异。在DDR3系统内存控制器和内存通道处理，和内存通道只有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存之间的点对点（P2P）模块的关系（单一的物理银行模块），或一点两点（点对点，p22p之间的关系（双）物理银行模块），从而大大减少加载地址/命令/控制和数据总线，内存模块，类似于DDR2，有标准的DIMM（台式电脑），SO-DIMM /微型DIMM（笔记本电脑）和fb-dimm2（服务器）。FB-DIMM的第二代将使用amb2高规格（高级内存缓冲）。
对于64位架构的DDR3显然在频率和速度，更多的优势，此外，由于DDR3的根据温度自动自刷新，局部自刷新等功能，在DDR3功耗方面也做的很好，因此，它可能是第一个移动设备是受欢迎的，因为接收DDR2内存第一不是桌面服务器但是，CPU外频的PC桌面升级迅速，DDR3领域，未来是光明的。目前，英特尔预计将推出新的芯片熊虎（Bear Lake）在未来的第二季度，这将支持DDR3规格，而AMD也预计同时支持对K9平台DDR2和DDR3双规格。
内存异步工作模式包含了广义意义上的各种含义，所有的内存和CPU的频率。当可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式在早期的主板芯片组，你可以在高或低的33mhz比CPU外频33mhz模式的记忆（注意，只是为33MHz），它可以提高系统内存性能或者继续玩热的旧记忆。其次，在正常的工作模式（CPU超频），许多主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如英特尔910gl芯片组，外频133MHz仅支持533MHz的CPU外频，但可以搭配频率DDR 266的工作频率，工作频率200MHz DDR和DDR 333 166mhz 400工作频率（注意，CPU外频133MHz和DDR 400 200MHz OP的正常工作工作频率有差异，但66mhz）其性能有不同的搭配记忆差异。再次，在CPU超频，为了不拖累CPU超频内存在频率可以降低方便超频内存，如AMD Socket 939接口的Opteron 144很容易超频，很多产品可以很容易地超过300MHz FSB，如果这个内存同步模式，此时，记忆的等效频率为600的DDR一样高，这显然是不可能的，为了顺利在300MHz外频，我们可以在超频主板上的BIOS为DDR 333和DDR 266的内存设置，超级300mhz FSB之后，前者只DDR 500（有些记忆可以最好的R每个），后者只有400 DDR（完全标准的频率正常），因此，正确的记忆帮助超频成功的异步模式。
主板芯片组支持几乎所有当前异步存储器，英特尔875系列从目前的810系列到新的支持，并通过从693芯片组毕竟提供了这个功能。