玩家对内存参数设置的看法

1、caslatency控制（TCL）
设置=自动，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
这是最重要的内存参数之一。通常，当玩家说明内存参数，把它放在第一位，如3-4-4-8 @ 275mhz，说明Cl-是3。通常2可以达到更好的性能，但3可以提供更好的稳定性。值得注意的是，winbondbh-5 / 6芯片不可能被设置为3。
CAS表示列地址寻址（列地址选通或列地址选择），和CAS控制时间从接受一个指令执行指令。由于CAS主要控制十六二进制地址，或列地址存储矩阵中，它是最重要的参数，它应该被设置为尽可能低的稳定的前提下，记忆是由行和列寻址。当请求被触发，它最初是TRAS（Activeto Precharge Delay）。在预充电，内存将真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活RAS（行地址选通）开始解决所需要的数据。第一行的地址，然后通过初始化，周期结束，和精确的十六进制地址所需的数据是通过CAS访问。从CAS CAS结束期CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一步，也是最重要的内存参数。
此参数控制多少个时钟周期需要等待内存接收数据之前执行的指令实际上是阅读教学。同时，参数也决定要求完成记忆中的突发传输第一部分的时钟周期数。较小的参数，更快的记忆是的。需要注意的是，部分重要的内存不能运行在一个较低的延迟，可能会丢失数据，所以它是一个提醒，CAS延迟设置为2或2.5，同时，如果它是不稳定的，它只会进一步提高，并增加延迟可以在更高的频率使内存运行，所以当内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
影响：主要影响稳定性，对带宽的轻微影响
建议设置：1.5、2、2.5和3

2、RAS # CAS #延迟（tRCD）
设置=自动，0, 1, 2，3, 4, 5，6, 7。
这是数字说明内存参数在第二位，如3-4-4-8 @ 275mhz，表明出现4。
此参数可以控制RAS（行地址选通）信号和列地址选择器脉冲信号之间的延迟。当读取、写入或刷新存储器时，必须在两个脉冲之间插入一个延迟时钟周期。为了获得最佳性能考虑，参数可以设置为2。如果系统不能稳定运行，参数可以设置为3。同样，这个参数允许内存更高。

在更高的频率，用户可以尝试提高tRCD当用户超频内存有麻烦。
影响：主要影响带宽和稳定性
推荐设置：2-5.2可以实现最大的性能和可为最大内存频率设置为4或5。

3、minras #活动时间（tRAS）
设置=自动，00, 01，02, 03，04, 05，06, 07，08, 09，10, 11, 12，12, 13。
这是数字说明内存参数在第四位，如3-4-4-8 @ 275mhz，表明公司是8。
这个选项控制行地址激活时钟周期数的最小内存（TRAS），代表着从激活行地址的时间reset.tras太长对性能有严重的影响。减少tRAS可以使激活行地址复位更快。然而，短暂的清理也会造成足够的时间来完成一个突发传输，并将数据丢失或覆盖。最好的设置是越低越好。一般来说，公司应设置为TCL出现2个时钟周期。例如，如果TCL出现2和3个时钟周期分别的最佳tRAS值是7。但如果记忆产生错误或系统不稳定，必须改进的tRAS值。
事实上，公司是一个非常有争议的价值。很多人认为00, 05或10是最快和最稳定的。但这并不一定适用于每一个用户，取决于记忆。它通常设置为10内存达到最佳超频能力。
影响：带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：00，5-10。

4、RowPrecharge Timing（TRP）
设置=自动，0, 1, 2，3, 4, 5，6, 7。
这是数字说明内存参数在第三位，如3-4-4-8 @ 275mhz，表明色氨酸4。
在另一行被激活之前，TRP被用来设置RAS所需的充电时间。TRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟太长。设置为2可以减少预充电时间，以便下一行可以更快地激活。然而，将TRP设置为2是大多数存储器的高要求。在行激活前可能会导致数据丢失，内存控制器不能顺利完成读写，因此在稳定的前提下，建议将TRP设置为2，如果不稳定，则必须增加到3或4。
影响：主要影响带宽和稳定性
这是简单的设置：2-4.2为了获得最佳性能，4-5可以达到记忆的极限频率。

5、rowcycle时间（TRC）
设置为自动，7-22，步骤1。
这个参数是用来控制memory.trc周期时间的确定需要完成一个完整的周期，即最小循环数，从行到线充电时间。根据方程，TRC = TRAS的色氨酸，因此，在设置后，你必须向TRA和RRP值。如果周期太长，时间激活一个新的行地址是延迟一个周期后完成。然而，过短会导致活性线尚未完全充电下初始化，这将导致数据丢失或覆盖。一般来说，根据TRC = tRAS TRP，TRC是设置一个较低的值，例如，公司是7个时钟周期，而色氨酸是4个时钟周期，理想的TRC值是11。
影响：稳定性和记忆的主要影响

带宽
建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16到稳定性逐渐降低。记住公式TRC = tRAS TRP。

6、rowrefresh周期时间（解析）
设置为自动，9-24，步骤1。
此设置表示需要在同一行一行的刷新时间。同时，这也是两者刷新指令在同一bank.trfc区间应高于TRC。

影响：对内存带宽和稳定性的主要影响。
推荐设置：通常达不到9，10是最好的set.17-19是内存超频的推荐值。可以从17开始逐步调整。大多数的稳定值的TRC加上2-4个时钟周期。

7、Rowto Row Delay（也被称为RAS RAS延迟）（tRRD）
设置为自动，0-4，步骤1
这个参数表示连续激活指令和内存行地址，即之间的最小时间间隔，预充电时间，延迟低，未来银行可以启动更快的读和写。然而，由于一定量的数据的需要，短暂的延迟会造成连续的数据扩展。对于台式电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，和数据扩展可以ignored.trrd设置为2以提高DDR内存的读写性能，它应该被设置为3时，2是稳定的。

影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存所能达到的最高频率。通常2是最合适的值，和00个看起来怪怪的，但有人可以00-260mhz稳定运行。

8、writerecovery时间（TWR）
设置=自动，2, 3。
TWR表明，一个有效的写操作延迟后存储体充电。这种延迟保证数据在缓冲区写过充电可写的存储单元。较短的延迟，减少花费的时间给未来的读写操作，但它也有可能覆盖数据。我的建议是，ddr200 DDR266和使用可以设置为2，但DDR333和DDR400可能不稳定，所以它必须设置为3。总之，减小延迟尽可能稳定的前提下。
影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。

9、Writeto Read Delay（TWTR）
设置=自动，1, 2
此参数控制将数据写入读指令的延迟。这是最后一个有效的写操作在同一行的下一条指令间隔的时钟周期，1个时钟周期，自然可以提供从读写速度更快的开关，设置为2会影响读取数据的速度，但提高稳定性，尤其是在高频率。换句话说，我们建议2对于内存超频玩家。通常DDR266和DDR333 1点能稳定运行，这样的记忆也能读得更快。当然，DDR400的用户也可以尝试设置为1，但如果它是不稳定的，它必须减少到2。
TWTR表明读写延迟。三星称这个参数tcdlr（最后一个数据在读取命令），它被定义为在一个时钟周期jded规范。
影响：对记忆的轻微影响

带宽和稳定性
建议设置：1是最佳的性能，当超频内存设置为2。

10、Readto Write Delay（trwt）
设置为自动，1-8，步骤1
trwt不是一个标准的内存时序参数。当内存控制器接收到一个读指令，它收到一个写指令立即将之前写指令的执行产生额外的延迟。更低的延迟可以提高写作的内存子系统的速度。如果你想快速完成读写转换，建议设置为1个时钟周期。但显然，并非所有的内存可以达到这个要求，它是不稳定和发生时将数据覆盖的错误。
影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：1是最佳性能，超频用户推荐4。普通用户选择1在稳定的基础上。

U3000

日常应用基本上是上述的，下面是一些补充

11、RefreshPeriod（TREF）
设置为自动，0032-4708，步非固定值。我们是微秒
1552 = 100mhz（美国）
2064 = 133mhz（美国）
2592 = 166mhz（美国）
3120 = 200mhz（美国）（对BH型 / 6，推荐值的频率可以达到250 MHz）
雇佣
3632 = 100mhz（美国）
4128 = 133mhz（美国）
4672 = 166mhz（美国）
0064 = 200mhz（美国）
雇佣
0776 = 100mhz（美国）
1032 = 133mhz（美国）
1296 = 166mhz（美国）
1560 = 200mhz（美国）
雇佣
1816 = 100mhz（美国）
2064 = 133mhz（美国）
2336 = 166mhz（美国）
0032 = 200mhz（美国）
雇佣
0388 = 100mhz（15.6us）
0516 = 133mhz（15.6us）
0648 = 166mhz（15.6us）
0780 = 200mhz（15.6us）
贸易数据交换
0908 = 100mhz（7.8us）
1032 = 133mhz（7.8us）
1168 = 166mhz（7.8us）
0016 = 200mhz（7.8us）
贸易数据交换
1536= 100MHz (3.9us)
2048 = 133mhz（39us）
2560 = 166mhz（3.9us）
3072 = 200mhz（3.9us）
贸易数据交换
3684 = 100mhz（1.95us）
4196 = 133mhz（1.95us）
4708 = 166mhz（1.95us）
0128 = 200mhz（1.95us）
这个参数用于设置刷新间隔，除了自动选项，还有很多选项可供选择。自动设置是根据内存的SPD信息设置的，通常是一个非常慢的值，以确保最佳兼容性。最高值可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失。因此，我们可以一个一个地增加数量以获得最佳值，前提是系统足够稳定。

此外，根据早期的数据，存储的每一位，需要定期刷新充电。不及时充电会导致数据loss.dram实际上是一个电容器，和存储的最小单位是位。每一位可以随机访问，但是如果你不充电，数据只能保存一个很短的时间。所以我们必须每天15.6us刷新一行。每一次的数据被改写，数据被改写。也正是这个原因，DRAM也被称为非永久性存储器。一般来说，每一行都是刷新以RAS只刷新方法（行刷新）。Early EDO

内存消耗排15每row.6us时间。因此，刷新为每列2kb时间15.6usx2048线= 32ms。
影响：对稳定性和内存带宽的轻微影响
推荐设置：根据经验，不洁净的，像TRAS，不是精确值。通常15.6us和3.9us可以稳定运行，1.95us降低内存带宽。也有很多未知的价值。我们），大多数用户发现3120 = 200mhz（美国）是一个稳定和良好的环境，但也这是使用的内存芯片的相关。

12、writecas #潜伏期（twcl）
设置为自动，1-8
SDRAM内存是随机存取的，这意味着内存控制器可以将数据写入任何物理地址。在大多数情况下，数据通常是写在前面的address.twcl最近的页面显示写作的延迟。除了DDRII，通常可设置为1T。这个参数是相对熟悉的TCL（CAS延迟）。Tcl表示阅读延迟。
影响：对稳定性的主要影响，对带宽的影响是未知的。
建议设置：一般用户设置为自动或1。
drambank交织
设置=启用，禁用
此设置用于控制是否启用的交织方式，交织模式允许记忆银行改变刷新和访问周期。一个银行被刷新，而另一家银行可能访问。实践表明，由于所有的刷新周期所有存储体交叉，这将产生一个流水线的效果。然而，交织模式只有当有连续请求解决不同银行。如果是在同一家银行，数据处理不喜欢开interleave.cpu必须等待第一个数据处理终端和刷新记忆库，另一个地址可以发送。所有的记忆目前支持的交织方式，我们建议开启这个功能的时候，可能。
影响：主要影响带宽和稳定性
建议设置：启用。禁用将严重影响带宽。

13、dqsskew控制
设置=自动，增加倾斜，减少歪斜
稳定的电压可以使存储器达到更高的频率。电压浮动会产生较大的时间差（歪斜），提高控制功率可以减少偏差。然而，对应的DQS（数据控制信号）的上升或在电压下降的边缘。另外一个问题是，高频率的信号，导致跟踪延迟。DDR存储器的解决方案是通过简单的数据选通pulses.ddrii引进更先进的技术，增加了钟的时间：一个双向差我 / O缓冲形成一个DQS，微分表示使用一个简单的脉冲信号和一个参考点来测量信号，而不是信号之间的比较。在理论上，提升和下降的信号应该是完整的，但它不是case.dq-dqsskew是时钟的失调和产生的数据。

影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：增加性能好，下降稳定性好。
14、dqsskew价值
设置为自动，0-255，步骤1。
当我们打开DQS倾斜控制，这个选项是用来设置增加或减少值数。这个参数不敏感。
影响：带宽和稳定性的轻微影响
推荐设置：由于该参数不敏感，打开增加斜可以设置50-255。

15、DRAMDrive Strength
设置为自动，1-8，步骤1。
此参数用于调整内存数据总线的信号强度。值越高，信号强度越高。增加信号强度可以提高超频的稳定性，但不一定是好的高信号强度，TCCD内存芯片三星性能在低信号强度。
如果设置为自动，系统通常是设置一个较低的值，使用TCCD芯片，性能会更好。但其他内存芯片是不一样的。根据调试和对dfinf4主板测试结果，1357是弱的性能参数，其中1是weakest.2468是更好的性能parameter.tccd建议参数为35或7，和其他芯片的内存建议设置为6或8。
影响：主要影响稳定性
Recommended settings: the TCCD recommended parameters are 35 or 7, and the memory recommendations for other chips are set to 6 or 8.

16、dramdata驱动强度
设置= 1-4级，步骤1。
此参数确定内存数据总线的信号强度。价值越高，信号越强，处理大负荷的数据流，你需要改善记忆的控制，你可以设置它为高科技或高。当超频，这个参数可以提高稳定性。此外，该参数对内存性能的影响很小。因此，除非超频，一般用户建议设置为低/低。
影响：主要影响稳定性
建议设置：普通用户建议使用1级或3，如果中共打开，高于5月1日的任何参数不稳定。一些用户可以运行在3开放后党后，更多的人把中国共产党，2-4运行稳定。当然最理想的参数，是打开中共设置到四级。

17、MaxAsync延迟
设置为自动，0-15步1。 U3000 U3000
我没能找到任何解释这个参数目前，我不知道它的功能。觉得互联网用户的体验，在珠峰latencytest，你会看到一些不同。在我的bh-6 1ns，有差异的参数8ns至7ns的延迟测试的测试结果。在6ns调低至7ns，结果降低了2ns。
影响：带宽和稳定性的轻微影响
建议设置：BIOS中的默认值为7ns，并建议你调整5-10.6ns之间对内存的要求较高，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试，但它并不适用于TCCD，7ns要求较低，和UTT和BH型设置7N为overfrequency.8ns是一件为UTT和BH型蛋糕，而在ddr600在8ns TCCD通常运行，如果你想超频到ddr640，它必须被设置为9ns甚至更高。

18、ReadPreamblen
bsp；时间
设置为自动，2.0-9.5ns，步骤0.5。
此参数表示的时间间隔，DQS（数据控制信号）还和DQS是打开的。早期的三星存储的数据表明，这个参数是用来改善绩效的目的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器的ddrsgram或从DDR SGRAM。
影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
推荐设置：汽车实际上是5ns，与推荐值是4-7ns，越低越好。

19、IdleCycle Limit
设置为自动，0-256，步定
该参数表示在一个内存页的memclock值强制是被迫的，即最大充电时间内存页面读取内存页面之前。
影响：带宽的轻微影响，稳定性的主要影响。
推荐设置：自动推荐普通记忆。良好的记忆力是推荐尝试16-32，和我的BH型能在16稳定运行。

20、DynamicCounter
设置=自动、启用、禁用。
如果这个功能打开，系统迫使每个调整进入一个内存页在内部循环的限制。也就是说，这个参数是以前的闲置cyclelimit密切相关。启用后，它将屏蔽空闲周期限制，并根据冲突的发生动态调整。
影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响/主要影响内存带宽和稳定性（基于内存芯片）
建议设置：通常是自动禁用。打开后，可以改善性能，关闭后系统更稳定。一旦打开系统，系统崩溃，然后我不得不调整其他参数。

21，R / wqueue旁路
设置为自动，2X，4X，8X 16x。
该参数表示的动作的时间读写队列DCI（设备控制接口）是类似的，闲置cyblelimit，但这个参数也会影响读写的内存页面队列。
影响：对内存带宽的轻微影响，主要影响稳定性。
推荐设置：默认为16X，这是最好的性能参数，但如果它是不稳定的，或者超频，它只会减少到8倍甚至更低。

22、BypassMax
设置为自动，0x-7x步长为1
此参数表示的DCQ迂回的时间（依赖链阙）在仲裁者选择否决。经过仔细研究，我认为这个参数会影响内存的CPU连接。
影响：对内存带宽和稳定性的轻微影响
推荐设置：默认参数是7x.4x-7x推荐，且稳定性不好此时。

23、32byte造粒
设置为自动，禁用（8burst），使（4burst）。
此参数可以在突发计数器必须被选择和32字节访问时优化数据总线的带宽。
影响：带宽的轻微影响，稳定性的主要影响。
建议设置：在大多数情况下，自动禁用所有8burst。我仍然认为它是设置为禁用，和不稳定将4burst。