记忆中的应用热点的3DTSV

除了改变DRAM封装方式目前，海力士、三星等大企业都积极推动另一个计划，可以把3D TSV技术进入主流应用领域：广泛的我/ O（宽输入和输出）接口标准。

宽我 / O的标准是可以作为DRAM连接逻辑LSI微处理器微处理器接口的突破性技术，最大的特点是广泛的我/ O是在一个较低的工作频率来降低功耗，但可以通过增加渠道增加传统DRAM的性能。只有32个数据通道的最高水平，而大我/ O DRAM是由四路和128线技术设计的，它可以提供512我 / O的数据通道，以总带宽为12GB / s宽我/ O接口，特别适用于需要12.8gb记忆率 / s的带宽，例如图形领域，需要很高的数据传输速度。目前，该图形内存总线宽度而NAR行。他们中的一些人只有32bit。每个终端的平均数据传输速度是7gbit /美国基于功耗的考虑只有6，这是很难实现的采用进一步high-speed.if TSV，作为总线宽度可增加到512bit、1024bit，和2048bit、低功耗、高数据传输的目标是可以实现的完全。
目前，三星配备了一个新的移动DRAM内存芯片，采用宽我/智能手机和平板电脑的接口，为了提高数据传输率，三星宽我 / O DRAM的数据输入和输出采用512引脚，如果是负责发送命令和调整电源引脚，单宽我 / O DRAM三星将需要大约1200针，和目前的移动DDR DRAM的只有32。

新的移动DRAM内存芯片的容量为1GB，可发射12.8gb每秒的数据比移动DDR DRAM 1.6gb / s的高很多，且功耗降低约87%。