DDR4
内存和DDR3内存是在以下5个方面的不同:
1。
频率和电压
在频率,DDR4内存的
工作频率会从2133mhz,和最高能达到4266mhz。这个频率在内存中都有相当大的增加相比,DDR3内存。
从电压,DDR3内存工作电压为1.5V,而DDR4内存的工作电压是近一步,和最小预计将1.2v。
二、传动机构
在DDR4的主要改进体现在
信号传递机制相对于DDR3。它有两种规格:除了
支持单endedsignaling信号(传统的SE信号),同时还
介绍了差(差分信号技术)技术。
三。访问机制
DDR3内存,目前的
数据读取机制是双向
传输,DDR4内存的访问机制,已改为点对点的技术,这是DDR4整个存储
系统的关键设计。
点对点相当于一个主管道对应一个水箱(此机构对传输
速度没有太大的
影响,因为主管道的尺寸没有改变),这种设计的好处可以大大简化内存模块,更有可能达到更高的频率。
四、封装技术
DDR4内存使用3DS封装技术,和3DS(三维堆栈,3D堆叠)技术是一种在DDR4内存最关键的技术,它是用来增加单
芯片的容量。
在使用3DS堆栈封装技术之后,单个内存的最大容量可以达到当前产品的8倍。
五。外观
DDR3内存指的是240,记忆的手指是直的,与DDR4内存指的是284,记忆手指弯曲。
如果你知道更多关于DDR4内存,看到DDR4的优势。(完)